晶圆研磨
“晶圆研磨”又名“晶圆减薄”，主要就是通过背面打磨将晶圆厚度控制在一定范围内。主要目的是为了满足后续封装工艺的要求以及芯片的物理强度、散热性和尺寸要求等条件。
晶圆研磨的两个阶段
第一阶段：粗磨
此阶段使用的金刚石砂轮磨粒较粗，每转进给量大，单颗磨粒的切深大于临界切削深度。是典型的脆性域磨削。
采用相对较大的进给速度，主要为提高加工效率，这个阶段占总减薄量的94%左右。不过在这个过程会引起较大的晶格损伤与边缘崩边。
第二阶段：细磨
此阶段使用的金刚石砂轮磨粒较细，每转进给量小，一部分部分磨粒的切深度小于临界切削深度。属于延性域切削。另一部分的切深大于临界切削深度，属于脆性域磨削。
采用较低的进给速度，主要用于消除前阶段粗磨产生的损伤，崩边等现象，占总磨削量的6%。
晶圆研磨质量要求
晶圆厚度一致性要求
晶圆表面损伤层厚度（SSD）要求
晶圆表面粗糙度要求
晶圆表面厚度偏差TTV值要求
晶圆厚度精度及超薄化能力要求
晶圆完整性
晶圆的完整性主要表现在晶圆无破损上
在晶圆研磨过程中，会有许多造成晶圆破碎的因素存在，如何减小破损产生的机率，需要从现象出发去寻找原因。
晶圆破碎的几种形式
1、沿磨痕方向碎裂。
“磨痕”指的就是晶圆片背面的磨痕。这种类型的破损发生在这个磨痕上。
2、沿晶圆纹路碎裂。
裂纹沿晶体方向呈线性发生。少数情况下，断裂不沿晶体取向发生，但这种类型的断裂通常以线性裂纹为特征。
3、不规则破损。
指如图所示的与晶体取向和锯痕无关的裂纹，或晶圆片分成几片的情况。
沿磨痕方向碎裂
沿磨痕断裂主要是由于砂轮排屑槽堵塞等磨削缺陷造成的。当砂轮与脱落的磨料颗粒磨削时，会导致晶圆片的高应变而导致断裂。在最近的趋势中，当晶圆片有很厚的氧化膜时，沿磨痕的断裂经常发生。
这可能是由于晶片与z1轴砂轮不匹配(用于粗磨削)，即z1轴砂轮磨削能力不足，因此更换磨削能力更强的砂轮是防止破碎更有效的方法之一。
特别是当细光面磨削到200μm或更小的时候，由3或4因素造成的破碎的可能性增加了。
主要因素及对策：
因素1：Z1-轴砂轮磨削能力不足(粗磨削)（在研磨带有厚厚的氧化膜等的晶圆片时）
对策：更换研磨功率更高的砂轮类型(例如，选择更大的粒度，选择研磨功率更高的粘结剂)
因素2：砂轮与轮座之间漏水导致的磨削缺陷。
对策：检查轮座安装表面，如有异物，应排除。
因素3：由于砂轮排屑槽堵塞而导致的磨削缺陷。
（在细磨过程中，未切割的胶带或切割的碎片容易与砂轮接触，从而夹在砂轮的齿间，可能导致排削槽堵塞。）
对策：清除排屑槽内异物或更换砂轮。
因素4：由于在晶片边缘拖动晶片裂纹而造成的磨削缺陷。（在薄面磨削过程中，晶圆边缘容易出现裂纹。在加工过程中，碎裂的碎片可能夹在砂轮和晶圆之间）
对策：调整(减少)轮冷却液的流量。
沿晶体方向碎裂
主要因素及对策：
在沿晶方向发生断裂的情况下，断裂通常不是由砂轮引起的，主要是由于外来物质（通常指磨屑）引起，常见影响因素如及对策下表所示：
序号 | 主要影响因素 | 对策 |
1 | 卡盘工作台上有异物 | 清洗卡盘上表面 |
2 | 胶膜与硅片之间的异物 | 更换胶膜 |
3 | 转移垫上粘有颗粒和异物 | 清洁转移垫 |
不规则碎裂
主要因素及对策
序号 | 主要影响因素 | 对策 |
1 | 在晶圆处理过程中与外围机器部件发生碰撞 | 检查情况，调整周边各部件的安装位置。 |
2 | 晶圆强度不足(薄面研磨过程中) | 更换报废片重复测试设备 |
3 | 异物的引入 | 需仔细检查晶圆(例如，寻找附着在卡盘上的异物) |
晶圆破碎总解析
类型 | 原因 | 对策 |
沿磨痕方向碎裂（锯状裂纹） | Z1轴轮研磨能力不足（粗磨）（研磨厚氧化膜的晶圆等 | 具有较高磨削力的磨轮类型（例如，选择较大的磨粒，选择具有较高磨力的结合剂） |
磨轮与磨轮安装之间漏水造成的磨削缺陷 | 检查磨轮支座的安装表面，并消除异物的积聚 | |
在细磨过程中，排屑槽堵塞造成的磨削缺陷 | 清除排屑槽内异物或更换砂轮 | |
拖动晶片边缘裂缝造成的研磨缺陷，在薄光洁度研磨过程中，晶片边缘容易出现开裂，裂纹碎片会夹在车轮和晶片之间 | 调整（降低）磨轮冷却液的流量 | |
沿晶体方向的断裂 | 卡盘工作台上存在异物 | 清洁工作盘的表面 |
胶膜与硅片之间的异物 | 胶膜与硅片之间的异物 | |
传送板上的颗粒和异物 | 清洁传送板 | |
不规则的断裂 | 在晶圆处理过程中与设备外围部件碰撞 | 检查情况，调整各外围部件的安装位置 |
晶片强度不足（薄、精磨时） | 还有一种情况是，由于因素1和2中引入的因素恶化，需要仔细检查晶片（例如，寻找粘在工作盘表上的异物） |
