砷化镓晶圆的材料特性
砷化镓(GaAs)是国际公认的继“硅”之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，作为第二代半导体材料中价格昂贵的一种，被冠以“半导体贵族”之称，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。
砷化镓晶圆的脆性高，与硅材料晶圆相比，在切割过程中更容易产生芯片崩裂现象，使芯片的晶体内部产生应力损伤,导致产品失效和使用性能降低。
砷化镓晶圆的应用
用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，可用于生产二极管、场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）等，主要应用于高端军事电子、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。
目前，基于砷化镓衬底的led发光芯片在市场上有大量需求。
选刀要点
切割砷化镓晶圆，通常采用轮毂型电镀划片刀，选刀不当极易造成晶片碎裂，导致成品率偏低。用极细粒度金刚石（4800#，5000#）规格的刀片，能有效减少晶片碎裂，但切割之前需要进行修刀。
案例实录
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测试目的
1、对比测试
2、验证切割品质
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材料情况
切割产品 | 砷化镓外延片 |
产品尺寸 | 4寸 |
产品厚度 | 100μm |
胶膜类型 | 蓝膜 |
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修刀参数
修刀板型号 | 5000# |
尺寸规格 | 75x75x1mm |
修刀速度 | 8/10/15 mm/s |
修刀刀数 | 3种速度各5刀 |
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工艺参数
切割工艺 | 单刀切透 |
设备型号 | DAD322 |
主轴转速 | 38K rpm |
进刀速度 | CH2:25mm/s CH1:35mm/s |
刀片高度 | CH2:0.08mm CH1:0.07mm |
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样刀准备
SSTYE 5000-R-90-AAA
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样刀规格
刀片型号 | 5000-R-90 AAA |
金刚石粒度 | 5000# |
结合剂硬度 | R（硬） |
集中度 | 90 |
切痕宽度 | 0.015-0.020 |
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测试结果
1、刀痕良好，＜18μm，在控制范围内。
2、正面崩边＜3μm。
3、背面崩边＜15μm，在控制范围内。
切割效果
